高速CMOS DDR同步DRAM通過Insignis’專有的擴展測試流程,以減少早期故障,確保工業用途的優質和長期可靠性。它有一個同步接口(所有信號都記錄在時鐘信號CK的上升沿)。數據輸出發生在CK的兩個上升沿,對SDRAM的讀寫訪問是面向突發的;訪問從選定的位置開始,並以編程的順序繼續編程的位置數。訪問以銀行激活命令的註冊開始,然後是讀取或寫入命令。
該器件提供可編程的讀或寫突髮長度為2,4或8.可以啟用自動預充電功能,以提供在突發序列結束時啟動的自定時行預充電。刷新功能(自動或自刷新)易於使用。此外,512 Mb DDR SDRAM具有可編程DLL選項。
通過具有可編程模式寄存器和擴展模式寄存器,系統可以選擇最合適的模式以最大化其性能。這些器件非常適合需要高存儲器帶寬的應用,因此該器件特別適用於高性能主存儲器和圖形應用。
特徵 | ||
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應用 | ||
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