SK Hynix獲得DBI Ultra 2.5D / 3D互連技術的許可,影響16層堆棧內存

根據快速技術報告,SK Hynix宣布已與Xperi Corp的子公司Invensas簽署了新的專利和技術許可協議,並獲得了後者的DBI Ultra 2.5D / 3D互連技術許可。


據了解,DBI Ultra是一項獲得專利的管芯晶圓混合混合互連技術。它使用化學鍵連接不同的互連層,從而無需銅柱和底部填充,並且不會增加高度。大大降低了整個堆棧的高度,釋放了空間,並將8層堆棧增加為16層堆棧,從而獲得了更大的容量。與每平方毫米相比,每平方毫米的面積可以容納100,000至1百萬個互連開口傳統的銅柱互連技術具有多達625個互連開口,可以大大增加傳輸帶寬。

DBI Ultra的生產需要新工藝,但是產量更高,並且不需要高溫。高溫是影響產量的關鍵因素。

與其他下一代互連技術類似,DBI Ultra還靈活地支持2.5D和3D集成封裝,並且可以集成不同大小和不同工藝的IP模塊,因此它不僅可以用於製造DRAM,3DS, HBM等。用於高度集成的CPU,GPU,ASIC,FPGA,SoC。

目前,SK Hynix尚未透露將在何處使用DBI Ultra封裝技術,但DRAM和HBM顯然是最佳選擇。

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