2SJ652-1E
型號 2SJ652-1E
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
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2SJ652-1E 的技術信息
品牌型號名稱 2SJ652-1E 產品分類 分立半導體產品
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 描述 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
封裝 Tube 現貨庫存 2780 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 - Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 TO-220F-3SG
系列 - RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 38 mOhm @ 14A, 10V
功率耗散(最大) 2W (Ta), 30W (Tc) 封装 Tube
封裝/箱體 TO-220-3 Full Pack 其他名稱 2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS
工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited) 製造商標準交貨期 7 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 4360pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 80nC @ 10V FET型 P-Channel
FET特點 - 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 60V 詳細說明 P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
電流 - 25°C連續排水(Id) 28A (Ta)  
下載中心2SJ652-1E PDF - EN.pdf
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