| 2SJ661-1E | |
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| 型號 | 2SJ661-1E |
| 製造商 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 現貨庫存 | 2554 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| ECAD模型 | |
| 文檔 | 2SJ661-1E.pdf |
| 2SJ661-1E Price |
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| 2SJ661-1E 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | 2SJ661-1E | 產品分類 | 分立半導體產品 |
| 製造商 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 描述 | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 封裝 | Tube | 現貨庫存 | 2554 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | - | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | TO-262-3 |
| 系列 | - | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 39 mOhm @ 19A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 1.65W (Ta), 65W (Tc) | 封装 | Tube |
| 封裝/箱體 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole | 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 | 7 Weeks | 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 4360pF @ 20V | 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 80nC @ 10V |
| FET型 | P-Channel | FET特點 | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 4V, 10V | 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 詳細說明 | P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3 | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 38A (Ta) |
| 下載中心 | 2SJ661-1E PDF - EN.pdf | ||
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