2SJ661-DL-1E
型號 2SJ661-DL-1E
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 60V 38A
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2SJ661-DL-1E 的技術信息
品牌型號名稱 2SJ661-DL-1E 產品分類 分立半導體產品
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 描述 MOSFET P-CH 60V 38A
封裝 Digi-Reel® 現貨庫存 2576 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 - Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 TO-263-2
系列 - RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 39 mOhm @ 19A, 10V
功率耗散(最大) 1.65W (Ta), 65W (Tc) 封装 Original-Reel®
封裝/箱體 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 其他名稱 2SJ661-DL-1EOSDKR
工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited) 製造商標準交貨期 9 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 4360pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 80nC @ 10V FET型 P-Channel
FET特點 - 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 60V 詳細說明 P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
電流 - 25°C連續排水(Id) 38A (Ta)  
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