SI4330DY-T1-GE3
型號 SI4330DY-T1-GE3
製造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
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SI4330DY-T1-GE3 的技術信息
品牌型號名稱 SI4330DY-T1-GE3 產品分類 分立半導體產品
製造商 Vishay / Siliconix 描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
封裝 Tape & Reel (TR) 現貨庫存 2522 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 3V @ 250µA 供應商設備封裝 8-SO
系列 TrenchFET® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
功率 - 最大 1.1W 封装 Tape & Reel (TR)
封裝/箱體 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds -
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 4.5V FET型 2 N-Channel (Dual)
FET特點 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V
電流 - 25°C連續排水(Id) 6.6A  
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