FQPF3N80C
型號 FQPF3N80C
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
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FQPF3N80C 的技術信息
品牌型號名稱 FQPF3N80C 產品分類 分立半導體產品
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
封裝 Tube 現貨庫存 18500 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 5V @ 250µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 TO-220F
系列 QFET® RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
功率耗散(最大) 39W (Tc) 封装 Tube
封裝/箱體 TO-220-3 Full Pack 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Through Hole 濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited)
製造商標準交貨期 28 Weeks 無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 705pF @ 25V 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 16.5nC @ 10V
FET型 N-Channel FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 10V 漏極至源極電壓(Vdss) 800V
詳細說明 N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F 電流 - 25°C連續排水(Id) 3A (Tc)
下載中心FQPF3N80C PDF - EN.pdf
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