MMUN2232LT1G
型號 MMUN2232LT1G
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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MMUN2232LT1G 的技術信息
品牌型號名稱 MMUN2232LT1G 產品分類 分立半導體產品
製造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
封裝 Tape & Reel (TR) 現貨庫存 39448 pcs
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) 50V Vce飽和(最大)@ IB,IC 250mV @ 1mA, 10mA
晶體管類型 NPN - Pre-Biased 供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
系列 - 電阻器 - 發射器底座(R2) 4.7 kOhms
電阻器 - 基座(R1) 4.7 kOhms 功率 - 最大 246mW
封装 Tape & Reel (TR) 封裝/箱體 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱 MMUN2232LT1GOS
MMUN2232LT1GOS-ND
MMUN2232LT1GOSTR
安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited) 製造商標準交貨期 36 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant 詳細說明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce 15 @ 5mA, 10V 電流 - 集電極截止(最大) 500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大) 100mA 基礎部件號 MMUN22**L
下載中心MMUN2232LT1G PDF - EN.pdf
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