| IPL60R185C7AUMA1 | |
|---|---|
| 型號 | IPL60R185C7AUMA1 |
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON |
| 現貨庫存 | 16774 pcs new original in stock. 獲取庫存報價 |
| 文檔 | 1.IPL60R185C7AUMA1.pdf2.IPL60R185C7AUMA1.pdf3.IPL60R185C7AUMA1.pdf |
| IPL60R185C7AUMA1 Price |
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| IPL60R185C7AUMA1 的技術信息 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌型號名稱 | IPL60R185C7AUMA1 | 產品分類 | 分立半導體產品 |
| 製造商 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON |
| 封裝 | PG-VSON-4 | 現貨庫存 | 16774 pcs |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 4V @ 260µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | 供應商設備封裝 | PG-VSON-4 |
| 系列 | CoolMOS™ C7 | RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 185mOhm @ 5.3A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 77W (Tc) | 封裝/箱體 | 4-PowerTSFN |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) | 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount | 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 1080 pF @ 400 V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - | 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600 V | 電流 - 25°C連續排水（Id） | 13A (Tc) |
| 基本產品編號 | IPL60R185 | ||
| 下載中心 | IPL60R185C7AUMA1 PDF - EN.pdf | ||
產品型號
IPL60R185C7AUMA1
介紹
高性能 N 型 MOSFET 用於電力開關應用
品牌及製造商
國際整流器（英飛凌科技）
特點
MOSFET（氧化物金屬）技術
N 型高效率開關
CoolMOS C7 系列先進電力技術
低導通電阻以減少功率損耗
適用於現代 PCB 設計的表面貼裝封裝
產品性能
可承受高達 600V 的漏極至源極電壓
在 25°C 時連續漏極電流達 13A
功率耗散高達 77W
優化以適應快速開關應用
工作溫度範圍為 -40°C 至 150°C
185 毫歐姆 Rds (On) 值的高效率
技術規格
漏極至源極電壓 (Vdss) 600V
電流 - 連續漏極 (Id) 13A
Rds On (最大) 185 毫歐姆
Vgs(th) (最大) 4V
閘極電荷 (Qg) (最大) 24nC
輸入電容 (Ciss) 1080pF
尺寸、形狀及包裝
PG-VSON-4 封裝
表面貼裝類型
供應商設備封裝 PG-VSON-4
以帶狀卷裝（TR）包裝，以便進行自動化裝配
品質與可靠性
無鉛並符合 RoHS 標準，以保證環境安全
由值得信賴的製造商英飛凌科技生產
產品優勢
專為節能高功率應用設計
優異的熱性能和長久耐用性
快速開關的低電容損耗
產品競爭力
在分立半導體市場中具有優越的技術定位
在高電壓應用中的競爭性產品性能
相容性
與標準表面貼裝技術（SMT）設備兼容
由於低 Rds (On)，適應各種電力電路設計
標準認證及合規
符合 RoHS 標準以控制有害物質
壽命與可持續性
耐用設計，適合在苛刻條件下長時間使用
實際應用領域
適用於開關電源單元
逆變器和變換器
電源管理系統
工業和商業電力配電系統
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| IPL60R185C7AUMA1 規格書 | 下載 IPL60R185C7AUMA1 規格書 | 製造商 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
