STW9NK90Z
型號 STW9NK90Z
製造商 STMicroelectronics
描述 MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
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STW9NK90Z 的技術信息
品牌型號名稱 STW9NK90Z 產品分類 分立半導體產品
製造商 STMicroelectronics 描述 MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
封裝 TO-247-3 現貨庫存 19360 pcs
VGS(TH)(最大)@標識 4.5V @ 100µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) 供應商設備封裝 TO-247-3
系列 SuperMESH™ RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
產品狀態 Active 功率耗散(最大) 160W (Tc)
封裝/箱體 TO-247-3 包裹 Tube
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 2115 pF @ 25 V 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 72 nC @ 10 V
FET型 N-Channel FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 10V 漏極至源極電壓(Vdss) 900 V
電流 - 25°C連續排水(Id) 8A (Tc) 基本產品編號 STW9
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產品型號

STW9NK90Z

介紹

N通道900V 8A電源MOSFET

品牌及製造商

意法半導體 (STMicroelectronics)

特點

高電壓功率能力

低導通電阻

快速開關速度

產品性能

能夠處理900V的漏極至源極電壓

在25°C下的持續漏電流為8A

最大功耗為160W

技術規格

FET類型:N通道

漏極至源極電壓 (Vdss):900V

電流 - 持續漏電流 (Id) @ 25°C:8A

Rds On (最大) @ Id, Vgs:1.3歐姆 @ 3.6A, 10V

閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:72nC @ 10V

輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds:2115pF @ 25V

驅動電壓 (最大Rds On, 最小Rds On):10V

尺寸、形狀及包裝

封裝 / 外型:TO-247-3

安裝類型:穿孔型

包裝:管狀包裝

品質與可靠性

無鉛狀態 / RoHS狀態:無鉛 / 符合RoHS標準

濕度敏感等級 (MSL):1 (無限制)

產品優勢

由於低功率損耗而實現高效率

強韌的熱性能

產品競爭力

專為高電壓應用設計

在電力管理解決方案中具有競爭力

相容性

與標準穿孔安裝相容

標準認證及合規

符合RoHS標準

壽命與可持續性

耐用的結構以確保長期可靠性

實際應用領域

電源

馬達控制

高電壓開關

逆變器和變流器

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